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【小金属产业峰会 | 氮化镓宽禁带半导体材料生长与器件开发】在SMM举办的2022小金属产业峰会上，中国科学院宁波材料技术与工程研究所项目研究员郭炜现场介绍了氮化镓宽禁带半导体材料生长与器件开发知识，并针对氮化镓宽禁带半导体 、材料生长设备及工艺 、第三代半导体的示范应用 、LED 及AlGaN 紫外光电子器件 、科研成果及团队等方面进行了讲解。
在SMM举办的2022小金属产业峰会上，中国科学院宁波材料技术与工程研究所项目研究员郭炜现场介绍了氮化镓宽禁带半导体材料生长与器件开发知识，并针对氮化镓宽禁带半导体 、材料生长设备及工艺 、第三代半导体的示范应用 、LED 及AlGaN 紫外光电子器件 、科研成果及团队等方面进行了讲解。
首先，对于氮化镓宽禁带半导体，他从第一代、第二代、第三代半导体以及半导体的能带还有自发极化和压电极化等方面简单进行了介绍。
第二，他还从材料生长设备、氮化镓生长常见衬底等方面介绍了材料生长设备及工艺。
第三，对于第三代半导体的示范应用 ，他介绍GaN的高效电能转换特性，能够帮助实现固态照明、光伏、风电、新能源汽车、消费电源等领域的电能高效转换，助力"碳达峰，碳中和"。此外第三代半导体还广泛的应用在高铁、5G以及LED等方面。
第四，他从LED 结构、LED 光谱和白光LED、AlGaN基紫外LED、紫外LED杀菌消毒、紫外LED应用场景、紫外通讯、紫外 LED 的挑战等方面阐述了LED 及AlGaN 紫外光电子器件。
最后，对于科研成果及团队介绍，他从高斜切角紫外LED、Ni/Al高反电极、纳米网格欧姆电极、横向极性结构发光特性、三维空间能带的应用、紫外光电探测器的应用、紫外探测器、GaN功率器件等角度进行了分享。
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