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P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底

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P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底 元/片

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更新日期:2025-04-18

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规格: 4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15 电阻率0.016~0.024ohm·cm LTV≤2μm(10mm*10mm) TTV≤5μm Bow -15μm~15μm Warp≤20μm 微管密度<0.15ea/cm2

参考标准: --
定义: 出厂价
价格产生区域: 中国
数据起止日期: 2024-07-26 至 --
含税: 含13%增值税
主流品牌: 天岳先进、天科合达、烁科晶体、科友半导体、晶越半导体、中电化合物、合盛新材料、晶睿电子等
备注: 预估更新时间:11:00

P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底价格走势图

P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底
Created with Highstock 5.0.142024/09/202024/11/292025/02/142025/04/18

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P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底历史价格

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日期 最低价 最高价 均价 涨跌
总均价
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