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P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底
P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底 元/片
更新日期:2024-09-27
规格:
4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15 电阻率0.016~0.024ohm·cm LTV≤2μm(10mm*10mm) TTV≤5μm Bow -15μm~15μm Warp≤20μm 微管密度<0.15ea/cm2
参考标准:
--
定义:
出厂价
价格产生区域:
中国
数据起始:
2024-07-26
含税:
含13%增值税
主流品牌:
天岳先进、天科合达、烁科晶体、科友半导体、晶越半导体、中电化合物、合盛新材料、晶睿电子等
备注:
预估更新时间:11:00
数据结束:
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P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底价格走势图
P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底
P-MOS级 6英寸碳化硅导电型衬底历史价格
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日期 | 最低价 | 最高价 | 均价 | 涨跌 |
总均价 | ||||
2024-09-27 |
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2024-09-20 | ||||
2024-09-13 | ||||
2024-09-06 | ||||
2024-08-30 | ||||
2024-08-23 | ||||
2024-08-16 | ||||
2024-08-09 | ||||
2024-08-02 | ||||
2024-07-26 |
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