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P-MOS级 8英寸碳化硅导电型衬底
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P-MOS级 8英寸碳化硅导电型衬底 元/片
更新日期：2026-02-27
规格：
4H n-type Nitrogen 偏<11-20>4±0.15º 电阻率0.016~0.024ohm·cm LTV≤3μm(10mm*10mm) TTV≤7μm Bow -20μm~20μm Warp≤30μm
参考标准：
--
定义：
--
价格产生区域：
中国
数据起止日期：
2024-09-13
至
--
含税：
含增值税
主流品牌：
天岳先进、天科合达、烁科晶体、科友半导体、晶越半导体、中电化合物等
备注：
预估更新时间：11:00
P-MOS级 8英寸碳化硅导电型衬底价格走势图
P-MOS级 8英寸碳化硅导电型衬底
P-MOS级 8英寸碳化硅导电型衬底历史价格
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| 日期 | 最低价 | 最高价 | 均价 | 涨跌 |
| 总均价 | ||||
| 2026-02-27 |
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| 2026-02-13 | ||||
| 2026-02-06 | ||||
| 2026-01-30 | ||||
| 2026-01-23 | ||||
| 2026-01-16 | ||||
| 2026-01-09 | ||||
| 2025-12-26 | ||||
| 2025-12-19 | ||||
| 2025-12-12 | ||||
| 2025-12-05 | ||||
| 2025-11-28 | ||||
| 2025-11-21 | ||||
| 2025-11-14 | ||||
| 2025-11-07 | ||||
| 2025-10-31 | ||||
| 2025-10-24 | ||||
| 2025-10-17 | ||||
| 2025-10-10 | ||||
| 2025-09-26 |
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